Pregunta acerca de la modelización de la señal grande de HEMT en ADS

[a_ronagh]

Hola

Estoy tratando de modelo de un transistor de microondas utilizando Agilent ADS incorporado en los modelos.El nombre del modelo que he elegido es el modelo de EE_HEMT de la biblioteca de GaAs.He estudiado los detalles del modelo de los archivos de ayuda proporcionados por el Agilent y después de la separación de los parámetros a la DC y los de corriente alterna, traté primero en el ajuste del modelo IV curvas en las características medidas IV del dispositivo mediante la optimización.El resultado fue excelente.
Luego, tomando los parámetros DC constante y ajuste los parámetros de corriente alterna, que trató de encajar los resultados de la S-parámetro de DC a 20GHz en un punto de operación específicas.De nuevo un partido razonable entre el modelo y la medición de resultados podrían ser alcanzados.Pero el problema es que la instalación es válida sólo para ese punto de trabajo o en otras palabras, la mayoría de los parámetros de ca parecen ser el sesgo dependiente.Debido al hecho de que estoy tratando de encontrar un modelo de gran señal, esta discrepancia no es aceptable.
¿Alguien sabe donde estoy cometiendo un error?¿No es esto una manera de encontrar los parámetros del modelo?¿Qué está mal?¿Tienes el papel o cualquier tesis sobre el modelado?

Gracias a todos por adelantado

 

[kspalla]

Supongo que incluso los modelos de gran señal dependerá de sesgo.
Ruego a usted a compartir el diseño.
Cita:

Pero el problema es que la instalación es válida sólo para ese punto de trabajo o en otras palabras, la mayoría de los parámetros de ca parecen ser el sesgo dependiente.

 

[a_ronagh]

Parece que he encontrar una manera de mejorar mi modelo y ahora estoy trabajando en ello.Yo le informará de todas las mejoras posibles, tan pronto como sea posible.Gracias por su atención.