elegir la tensión de detección o sensor de corriente?

[lanlon]

Estimados Señores:
Desde el 1-SRAM T leer consideraciones circuito camino.

debo la elección de los volatge detección o amplificador de detección actual?característica de detección de cada debate será apreciada.<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="Very Happy" border="0" />

 

[wpchan05]

lanlon escribió:

Estimados Señores:

Desde el 1-SRAM T leer consideraciones circuito camino.debo la elección de los volatge detección o amplificador de detección actual?característica de detección de cada debate será apreciada.<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="Very Happy" border="0" />

 

[dachou]

ya, muy interesante,
desde el diseño de vista, no es posible implementar un circuito de corriente en el cargo compartiendo la celda de memoria.
de células de 1tsram es la misma que la estructura de DRAM.
si intenta utilizar sensor de corriente en este tipo de células, tienes un gran problema.Como la corriente de esta celda aparece sólo en el momento de la gira en WL.Después de compartir la carga se ha hecho, ninguna corriente puede ser detectado.En otras palabras, la detección de tensión debe introducir en el diseño de la Ronda Uruguay.
Por otra parte, como la memoria DRAM utilizando el estilo de diseño plegado.de células adyacentes con palabras diferentes-line como puerta de seleccionar.Así, se hace referencia ur línea de bit vecino.