dependencia de la demora la propagación de una puerta de la función de siz

R

Resistencia

Guest
Quiero saber qué va a ser los factores que influyen en la Propagación
demora a través de una puerta?

Por lib actual, que está disponible, se puede ver desde. Lib RC
.. valor

Mi pregunta es conocer los distintos factores que influyen en el retraso con el
decresing ...?????? tamaño de la característica

Recuerdos

 
Para constituir la demora de propagación a través de una puerta lógica, considere los siguientes factores:

Una puerta lógica se compone de varios transistores, por lo que la puerta de capacitancia a granel, puerta de capacitancia puerta-fuente y capacidad de drenaje por transistor son las capacidades parásitas que constituyen el retardo de propagación.

La poli-Si y capas de metal que conectan las puertas y los desagües entre los transistores, dentro de una puerta lógica, capacidad de carga exhibición (incluido franja de capacidad) que constituyen el retardo de propagación.

La magnitud de la tensión umbral (V) y la tensión de alimentación (Vdd) utilizado puede afectar la velocidad de conmutación, por lo que el retardo de propagación.

El abanico de salida o de la capacidad de carga percibida en la salida de la lógica también puede constituir retardo de propagación.

El más pequeño de los transistores, mayor es la velocidad de conmutación, en Vdd inferior y V, con pérdidas cada vez más importante en porcentaje.El retardo de propagación es también relativamente más corto.Todos estos son a escala cuidadosamente.

 
Hola,
así u venido a decir que la disminución de retraso con decreaing .. featurewsizemuy cierto, hasta 135 micro más allá de que no estoy seguro?Personalmente, el pensamiento, en diciembre de este acuerdo no será uniforme más allá de esto??

recuerdos

 
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Parámetros clave
- Vdd
- Lgate, elaborado
- Tox
- V
- ISAT
- Cj

Por favor, consulte el siguiente enlace, y podrás obtener algunas ideas
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http://www.dongbuelec.com/eng/technology/process_130.html

 
Causa el retraso del DSM son
(1) proceso incorrecta variaciones
(2) Islas de voltaje múltiple en el mismo chip
(3) baja la temperatura Multi (Dynamic caída IR)
(4) transición incorrecta
(5) cargas de salida desequilibrio.

 

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