caso de VGS-V> 3 * VT?

[lwjbh]

Hola chicos, en la mayoría de los casos, wo debe hacer vdsat> 3 * VT, es necesario hacer VGS-V> 3 * VT, si no, ¿cuál es el valor adecuado para la VGS-V? gracias!

 

[erikl]

lwjbh escribió:

Hola chicos, en la mayoría de los casos, wo debe hacer vdsat> 3 * VT, es necesario hacer VGS-V> 3 * VT, si no, ¿cuál es el valor adecuado para la VGS-V? gracias!

 

[lwjbh]

gracias erikl, pero si para poder funcionar con un MOSFET de la saturación, es necesario hacer VGS-V> 3 * VT? Quiero decir que en el corto canal, el Vdsat no es igual a VGS-V, si quiero garantizar la IC operan en la saturación, debo dejar Vdsat o VGS-V> 3 * VT?

 

[erikl]

lwjbh escribió:

...
si quiero asegurar la IC operan en la saturación, que debería hacer Vdsat o VGS-V> 3 * VT?

 

[lwjbh]

gracias, erikl, g = Id / (VGS-V), si desea obtener mayor valor de gm / Id, debo dejar VGS-V más pequeños, pero me temo que no puede obtener el resultado correcto simualtion como la IC funciona
, en la región de transición, la bsim3 no tiene un modelo preciso para que mosfet.what debo hacer?

 

[erikl]

lwjbh escribió:

...
el MOSFET opera en la región de transición, el bsim3 no tiene un modelo preciso para que el MOSFET.
¿Qué debo hacer?

 

[lwjbh]

Apreciamos su ayuda!