T
tyanata
Guest
¿Puede alguien decirme cómo se calcula y cómo simular compensación de operaciones
amplificador?
amplificador?
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H
Hughes
Guest
Por favor refiérase a
la solicitud
de TI notas, amplificador operacional integrado de la teoría
la solicitud
de TI notas, amplificador operacional integrado de la teoría
E
etherios
Guest
Si recuerdo bien conectar el 2 entradas juntas y ejecutar un archivo. Op análisis SPICE verá lo que la diferencia en la salida el valor de lo esperado.Si usa alguna otra herramienta que usted debe hacer lo mismo.
F
flatulent
Guest
El desplazamiento es causado principalmente por la entrada de los transistores no son iguales en tamaño y perfil de dopaje.La corriente de carga no es un espejo de ganancia 1,00000 también causar problemas.
Hay varias maneras de hacer la simulación.Una de ellas es ideal para poner una fuente de voltaje en serie con una de las entradas.Otra forma es utilizar el factor de escala y tamaño que un transistor 1,005 veces el tamaño de la otra.
Hay varias maneras de hacer la simulación.Una de ellas es ideal para poner una fuente de voltaje en serie con una de las entradas.Otra forma es utilizar el factor de escala y tamaño que un transistor 1,005 veces el tamaño de la otra.
B
bastos4321
Guest
Eso no es correcto flatulent (wy el factor de 1.005).
El valor de compensación por hacer es obtener una simulación de Monte Carlo de la ampop se pongan en venta utilizando los parámetros de los transistores para un determinado proceso.Utilice por lo menos 100 carreras.
Otra manera es para tener en cuenta la adecuación de la entrada principal de transistores y otras aportaciones de los demás, dividido por la ganancia de la etapa de entrada.Los parámetros se pongan en venta se divide por la raíz cuadrada de la superficie del transistor.Se trata de una estimación de la compensación.El Monte Carlo es el método más exacto.
Bastos
El valor de compensación por hacer es obtener una simulación de Monte Carlo de la ampop se pongan en venta utilizando los parámetros de los transistores para un determinado proceso.Utilice por lo menos 100 carreras.
Otra manera es para tener en cuenta la adecuación de la entrada principal de transistores y otras aportaciones de los demás, dividido por la ganancia de la etapa de entrada.Los parámetros se pongan en venta se divide por la raíz cuadrada de la superficie del transistor.Se trata de una estimación de la compensación.El Monte Carlo es el método más exacto.
Bastos
F
flatulent
Guest
Mis sugerencias sobre cómo poner en compensación por ver qué efecto tiene sobre el rendimiento de circuito.La fuente de voltaje añadido flotante es la mejor manera de añadir un offset a macromodel.Si usted está tratando de encontrar la gama de compensaciones para un amplificador op diseño, tendrá que variar en la versión beta de todos los transistores, así como sus áreas y principios de los voltajes.La entrada de los transistores se hacen intencionalmente grandes para que las zonas no cambian mucho cuando el cambio de las dimensiones lineales de óxido grabado tolerancias.Esa es la razón por la que sugiere un bajo valor de 1,005 para hacer un pequeño desplazamiento.
El dopaje en el flujo de gas de obleas es perturbado por la altura de la superficie cambios que hará el transistor dopaje perfiles diferentes para cada transistor.Pequeños cambios en el caudal de gas que hará que la perturbación diferente.Por la puerta de los transistores MOS de óxido de espesor será variable.Los tipos de JFET pinchoff y GM variará con estas variaciones, más el tratamiento de implantes dosis y las variaciones de energía.Estas variaciones se implante también afectan thesholds MOS.
Un truco astuto en los viejos tiempos de diseños CAD y ADC fue añadir maniquí resistencias a cada extremo de la disposición de las resistencias utilizadas para hacer la perturbación del flujo de gas más uniforme durante los utilizados resistencias.
Otra fuente de calefacción de compensar es el dado por el transistor y la resistencia de disipación de energía que hace que los gradientes térmicos.La calefacción es diferente para diferentes actual causados por parte señala los cambios de parámetros.
Y para rematar, muchos amplificadores láser son recortadas para compensar por lo que estas simulaciones no predecir el rendimiento del producto final.
Última edición por flatulent el 20 de enero 2004 1:41, editado 2 veces en total
El dopaje en el flujo de gas de obleas es perturbado por la altura de la superficie cambios que hará el transistor dopaje perfiles diferentes para cada transistor.Pequeños cambios en el caudal de gas que hará que la perturbación diferente.Por la puerta de los transistores MOS de óxido de espesor será variable.Los tipos de JFET pinchoff y GM variará con estas variaciones, más el tratamiento de implantes dosis y las variaciones de energía.Estas variaciones se implante también afectan thesholds MOS.
Un truco astuto en los viejos tiempos de diseños CAD y ADC fue añadir maniquí resistencias a cada extremo de la disposición de las resistencias utilizadas para hacer la perturbación del flujo de gas más uniforme durante los utilizados resistencias.
Otra fuente de calefacción de compensar es el dado por el transistor y la resistencia de disipación de energía que hace que los gradientes térmicos.La calefacción es diferente para diferentes actual causados por parte señala los cambios de parámetros.
Y para rematar, muchos amplificadores láser son recortadas para compensar por lo que estas simulaciones no predecir el rendimiento del producto final.
Última edición por flatulent el 20 de enero 2004 1:41, editado 2 veces en total
H
Hughes
Guest
Hola, bastos4321,
¿Sabes cómo hacer el análisis de Monte Carlo para VTH desfase?
¿Sabes cómo hacer el análisis de Monte Carlo para VTH desfase?
B
bastos4321
Guest
Estoy de acuerdo con flatulent.
Para modelar el efecto de tan sólo el desplazamiento sea lo más indicado flatulent.Para obtener el valor de la compensación es necesaria la adecuación parámetros.
Yo no
soy bipolar utilizado para los diseños, sólo CMOS, pero una cosa no he visto aún es vincular los parámetros de transistores bipolares.¿Es que varían con la raíz cuadrada de la zona como MOS?
Bastos
Para modelar el efecto de tan sólo el desplazamiento sea lo más indicado flatulent.Para obtener el valor de la compensación es necesaria la adecuación parámetros.
Yo no
soy bipolar utilizado para los diseños, sólo CMOS, pero una cosa no he visto aún es vincular los parámetros de transistores bipolares.¿Es que varían con la raíz cuadrada de la zona como MOS?
Bastos
B
bastos4321
Guest
VTH para utilizar un desfase gausian distribución.Ej:
. PARAM WMm1cp6 = AGAUSS (7e-06, 7.93725e-08, 3) VtoMm1cp6 = AGAUSS (0, 0.00822073, 3)
Mm1c y2 bias1 avdd avdd pmoshv w = WMm1cp6 l = 4e-06 m = 2 ad = 5.95e-12
Como = 1.085e-11 pd = 3.1e-06 ps = 1.15e-05 nrd pegadinha = 0.0642857 = 0.0642857
DELVTO = VtoMm1cp6
Bastos
. PARAM WMm1cp6 = AGAUSS (7e-06, 7.93725e-08, 3) VtoMm1cp6 = AGAUSS (0, 0.00822073, 3)
Mm1c y2 bias1 avdd avdd pmoshv w = WMm1cp6 l = 4e-06 m = 2 ad = 5.95e-12
Como = 1.085e-11 pd = 3.1e-06 ps = 1.15e-05 nrd pegadinha = 0.0642857 = 0.0642857
DELVTO = VtoMm1cp6
Bastos
F
flatulent
Guest
bastos4321 escribió:
Yo no soy bipolar utilizado para los diseños, sólo CMOS, pero una cosa no he visto aún es vincular los parámetros de transistores bipolares.
¿Es que varían con la raíz cuadrada de la zona como MOS?Bastos
Yo no soy bipolar utilizado para los diseños, sólo CMOS, pero una cosa no he visto aún es vincular los parámetros de transistores bipolares.
¿Es que varían con la raíz cuadrada de la zona como MOS?Bastos
B
bastos4321
Guest
flatulent escribió:bastos4321 escribió:
Yo no soy bipolar utilizado para los diseños, sólo CMOS, pero una cosa no he visto aún es vincular los parámetros de transistores bipolares.
¿Es que varían con la raíz cuadrada de la zona como MOS?Bastos
Yo no soy bipolar utilizado para los diseños, sólo CMOS, pero una cosa no he visto aún es vincular los parámetros de transistores bipolares.
¿Es que varían con la raíz cuadrada de la zona como MOS?Bastos
F
flatulent
Guest
No tengo las cifras actuales.La última IC I diseñado utilizarse líneas de 10 micras y los espacios y la máscara fue cortado a mano en rubylith.
En el factor de desajuste, sospecho que es más de una función lineal.El amplificador diferencial curva de transferencia tangente hiperbólica es que es una función lineal en la región de cruce.La raíz cuadrada es muy lineal de valores cerca de 1.sqrt (1 a) = 1 a / 2 es una buena aproximación para los pequeños valores de una de cualquiera de polaridad.
En el factor de desajuste, sospecho que es más de una función lineal.El amplificador diferencial curva de transferencia tangente hiperbólica es que es una función lineal en la región de cruce.La raíz cuadrada es muy lineal de valores cerca de 1.sqrt (1 a) = 1 a / 2 es una buena aproximación para los pequeños valores de una de cualquiera de polaridad.
B
bastos4321
Guest
En MOS tenemos la AVT y se pongan en venta Abeta parámetros.La primera aproximación a la compensación se calcula de la AVT / sqrt (WL).La distancia entre la MOS también tienen cierto impacto en la fórmula.
Por bipolar Sospecho que tiene el mismo tipo de dependencia,
y no lineal con el área, ya que en origen (para un par diferencial), ambas funciones de transferencia son aproximados lineal.Uno con una espiga hiperbolic y el otro con un "cuadrado".
Acaba de dar el documento de referencia para la adecuación de MOS.
M. Pelgrom, "Coincidencia de propiedades de los transistores MOS" IEEE, JSSC, vol 24, pp.1433-1439, octubre de 1989.
Por bipolar Sospecho que tiene el mismo tipo de dependencia,
y no lineal con el área, ya que en origen (para un par diferencial), ambas funciones de transferencia son aproximados lineal.Uno con una espiga hiperbolic y el otro con un "cuadrado".
Acaba de dar el documento de referencia para la adecuación de MOS.
M. Pelgrom, "Coincidencia de propiedades de los transistores MOS" IEEE, JSSC, vol 24, pp.1433-1439, octubre de 1989.
K
kkoko
Guest
Compensado en amplificador operacional es muy difícil, porque los desajustes entre los diferentes transistores producir compensar azar que podemos simular con la ayuda del peor de los casos el análisis
J
jake
Guest
kkoko escribió:
Compensado en amplificador operacional es muy difícil, porque los desajustes entre los diferentes transistores producir compensar azar que podemos simular con la ayuda del peor de los casos el análisis
Compensado en amplificador operacional es muy difícil, porque los desajustes entre los diferentes transistores producir compensar azar que podemos simular con la ayuda del peor de los casos el análisis
C
crazyamd
Guest
Simulación de Monte Carlo hará
P
paladinzlp
Guest
Por favor, lea el libro: el diseño de circuitos analógicos CMOS.
D
dasong
Guest
Bandgap un diseño de referencia, que me pueda decir cómo redurce el desplazamiento de la OPA, es hacer que el trabajo bandgap mal!
V
Vamsi Mocherla
Guest
Estimado Dasong,
¿Qué es la arquitectura de tu amplificador?Si se trata de dos etapas, entonces usted tiene que cuidar el aspecto de los coeficientes de la actual espejos en la primera etapa y la etapa fase común fuente amplificador.
¿Qué es la arquitectura de tu amplificador?Si se trata de dos etapas, entonces usted tiene que cuidar el aspecto de los coeficientes de la actual espejos en la primera etapa y la etapa fase común fuente amplificador.
L
lunren
Guest
dasong escribió:
Bandgap un diseño de referencia, que me pueda decir cómo redurce el desplazamiento de la OPA, es hacer que el trabajo bandgap mal!
Bandgap un diseño de referencia, que me pueda decir cómo redurce el desplazamiento de la OPA, es hacer que el trabajo bandgap mal!