¿Qué es el efecto de la Av.?

[mohazaga]

Hola,,,

Tengo la ecuación.sobre el efecto de la ganancia de voltaje Av de amplificador.en la tensión de salida, y cuyo efecto es el parámetro.

Cuando decimos que establece Av. = 6, ¿qué significa en esta.amp.y cómo configurarlo para que ese valor?
Además, ¿cómo g de transistor de efecto de NMOS Av. de esta.amp.?

cualquier ayuda
thanx

 

[Miguel Gaspar]

Se refiere a la ganancia de voltaje, y si fijado por Rf / Ri

 

[rtarbell]

Sí, tensión de salida puede ser especificado por GM * (derrota) del circuito, pero ¿podrías publicar un esquema del circuito, si la tiene?Sería más fácil de explicar.

 

[mohazaga]

Hola,,,
En el amplificador CS., Es Av = g Rd., de modo Av = gmn / GMP, si usamos PMOS como carga (en triod mediante conexión a tierra es G).
es el verdadero
Thanx

 

[vahidkh6222]

no podemos clearfy estas cosas sin ver el circuito ....pero creo que Rd o en "Av = g Rd" debe ser la impedancia de entrada de carga que cuando usamos OGP como una carga en la región de teriod, llegó a Bo 1/gm (RD = Rds, teriod = 1/gm); ( Kt = g (Vgs-Vt) ^ 2)

Estas son algunas fórmulas que podemos calcular fácilmente con los modelos de ca de transistores ....

 

[mohazaga]

HI,

En la región de triod, la resistencia PMOS se 1/gm, así que si usamos PMOS como resistanc carga.Luego RD = 1/gm de los órganos normativos.

En el amplificador CS.la Av. = GMN.Rd, por lo que, Av = gmn / GMP.
¿Es esto correcto
gracias

 

[vahidkh6222]

.... que debe ser cierto recordar que la ecuación de RD = 1/gm es aproximadamente verdad, sólo en el rgion triod profundo ...

 

[mohazaga]

Hola,,,

¿Quiere decir que la ecuación.no es cierto en triod?
thankz

 

[vahidkh6222]

He dicho que es cierto en la región de DEEEP triod, cuando el RDS de trinsistor MOS es aproximada por 1/gm ....
profundo significa teriod que Vgs <<<Vt
Rds de lo contrario el valor real se calcula por los valores de sesgo absouloute de Id y Vgs en folowing equ.:
Id = K ((Vgs-Vt) Vt ....) no recuerdo del todo .... no creo que es importante para usted ....

 

[Suresh nagula]

= ganancia de GM * Ro.
GM -> transcoductance transistor de entrada (de la SRAM diff).
Ro depende de la U han aplicado la carga, puede ser NMOS o OGP.,
si es una carga OGP, en la región triodo.

si u quería aumentar la ganancia, o bien el GM puede aumentar, o bien el valor Ro.

 

[mohazaga]

hola
Tengo eso, pero cuando se dice en alguna fuente de circuitos (común) con PMOS como NMOS de carga y fuente de corriente conectada a la S de amplificador CS., Que el conjunto de la Av. = 6.
No tuve el sentido de que, y cómo configurarlo.

thankz - Se adjunta la CKT, la salida se toma de drenaje de 1 ª NMOS
Lo sentimos, pero es necesario iniciar sesión para ver este archivo adjunto

 

[mohazaga]

Hola,,,
cualquier otro organismo que, por favor responda
thankx