¿Puede alguien ayudar a cómo simular ESD

[coolstuff07]

Hola,

Tengo un diodo estándar conectado EDS.Quiero saber cómo simular en especias / espectro.Si alguno me ayude cómo multa BJT parasitarias y cerrarse de nuevo las características en él.

Adiós

 

[news]

Badanie Cisco ujawnia wzrost zagrożeń dla bezpieczeństwa IT spowodowany "kulturą samozadowolenia" pracowników polskich firm.

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[eda4you]

de simulación de EDS en la especia-espectro es muy difícil porque hay que tener muy buenos modelos del dispositivo de EDS, que nunca tuve en mi profesión.Tampoco es necesario, ya que un complemento completo de vuelta destruirá su IC.
Profundización de simulación de la EDS se realizan con simuladores de dispositivos.
Hice la simulación de una vez para una estimación de calor con un modelo simple de la ficha y, a veces puedo utilizar una fuente de corriente de modelado de comportamiento exponencial el inicio del complemento atrás, porque algunas cuestiones de especificaciones fueron críticos en términos de seguridad.

Espero que te pueda ayudar.

BR

 

[coolstuff07]

Cualquiera me ayuda más

 

[andyjackcao]

Hola, en algún libro que me dijo que si el dispositivo de la EDS es
trabajando en NB_MODEL, entonces se podría simular con
modelo simple, si el dispositivo está trabajando en la reversión, entonces tenemos que añadir las anteras ESD_MODEL;
por el momento, hay muchos programas en materia de EDS, puede referirse a

 

[Fom]

Cita:

hay muchos programas en materia de EDS, puede referirse a

 

[ESDSolutions]

Hola

Si está utilizando RC activada (bigFet) MOS dispositivos como las células de energía y sólo diodos en el OI, entonces debería ser capaz de simular la EDS con Spice / Espectro sin la adición de los modelos adicionales para la reversión.La idea de este enfoque es que la MOS bigfet de maniobra es la corriente en el modo de MOS, no reversión.

Sin embargo, usted debe verificar los niveles de voltaje en los diferentes puntos en el diseño.Por ejemplo, el voltaje de la almohadilla en el OI aún pueden alcanzar niveles de alta tensión, superior a la tensión de activación de controladores de salida debido a la resistencia de la Busline o diodos, por ejemplo.Este "reparto de la información" para los nodos sensibles pueden ser utilizados para optimizar la colocación y el tamaño de los dispositivos de la EDS.Puedes buscar las publicaciones técnicas de Freescale en la EOS / sympoisum ESD (Stockinger, Michael - Miller, James W.).Estas publicaciones proporcionan las primeras pistas en la simulación de este tipo de concepto de protección.Tenga en cuenta que la mayoría de las pinzas real ESD son propias y patentadas y no pueden ser copiados para uso comercial!

Si desea contar con snapback abrazaderas basa entonces simulación con herramientas basadas en la especia no es fácil en absoluto.Personalmente yo no confiaría en nadie que se atribuya la previsibilidad de los resultados de EDS.La creación de un modelo correcto para la reversión de BJT es un tema de investigación.Si la fundición no puede proporcionar modelos de entonces el mejor enfoque sería confiar en el socio preferido para la fundición de la EDS.La persona / empresa que proporcionan las soluciones de EDS para su tecnología de proceso, probablemente le puede ayudar con los modelos, las normas y la revisión para aumentar la probabilidad de un paso por primera vez.Algunos proveedores de herramientas de simulación de la EDS han optimizado para los nodos de fundición.

Nunca confíes en un proveedor de EDS que pretende llegar a la especificación de la EDS sin que ellos sepan su circuito / IO!

 

[leehying]

Absolutamente bien la respuesta!!

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