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yyliang
Antigüedad: 26 de agosto 2004
Posts: 44
|  23 de diciembre 2004 5:52 ¿Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| Hola, estoy diseñando un integrador de condensador de conmutación, pero tropezó con una dificultad en el diseño de los interruptores, parece que no hay fugas de corriente de la fuente o el drenaje, puede alguien ayudarme? ¿Cómo puedo obtener un alto rendimiento mos cambiar?
Gracias de antemano. |
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IANP
Antigüedad: 05 de octubre 2004
Mensajes: 6490
Ayudado: 1542
Ubicación: Costa Oeste
| 23 de diciembre 2004 6:21 Re: Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| ¿Hay alguna razón por la cual no se puede utilizar CD4066 switch integrado?
En el interior se encuentran 4 interruptores bilaterales. |
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sunking
Antigüedad: 25 Mayo 2004
Posts: 914
Ayudado: 46
| 23 de diciembre 2004 6:27 Re: Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| es difícil cobertura que hacer.
póngase en contacto con la fundición, les exigen control de pozos.
Y usted puede agregar el modificador "L", asegúrese de que no los más pequeños. |
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xuel
Antigüedad: 16 de noviembre 2004
Posts: 397
Ayudado: 11
| 23 de diciembre 2004 7:28 Re: Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| | primero la relación de W / L debe ser optimizada, a continuación, elija un valor absoluto suitalbe de W y L. Si todavía no podía satisfacer el requisito, el uso de dispositivos ficticios o adoptar bootstraping o inferior placa técnica de muestreo. |
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andy2000a
Antigüedad: 18 de julio 2001
Posts: 767
Ayudado: 7
| 23 de diciembre 2004 8:07 Re: Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| mos pasar de la muestra / necesidad de mantener las fugas al mínimo, mos simples como CD4016
es mejor que el CD4066,
pero cambiar CMOS CD4066 han de bajo RDS ..
En el diseño ASIC, utiliza cn "sw dummy" reducir charge_inject & feed_thru reloj
tal vez "a menos" -> porfessor dijo que incluso algunos libros de texto, dijo
Añadir interruptor maniquí puede reducir charge_inject
Otro problema es Rds mos y soltar el mos cambiar V
en algunos de doble circuito de voltaje como la carga de la bomba OGP uso de Hi-V de entrada
(vo NMOS = vin-VTN), pero a pesar de que .. vin = 2 * vin-v1 ..
I simulación encontrar Vo = 6.16v no 3.3v * 2 = 6,6 caída de voltaje aún tienen
CMOS switch usar 20/0.5 * 200 tamaño ..
alguna vez alguien charge_pump diseño ASIC, Io = 100 mA
¿puede decirme cómo diseñar mos cambiar |
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eda4you
Antigüedad: 17 de septiembre 2002
Posts: 283
Ayudado: 17
| 11 de enero 2005 15:25 Re: Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| | El uso de circuitos diferenciados ayudará a disminuir la inyección de carga. Mira lieterature básicos como el CMOS DESIGN (Razzavi). |
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Google
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| 11 de enero 2005 15:25 Anuncios | | |
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yyliang
Antigüedad: 26 de agosto 2004
Posts: 44
| 12 de enero 2005 6:22 Re: Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| | Si el reloj de PMOS y NMOS ser definitivamente la fase opuesta? |
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andy2000a
Antigüedad: 18 de julio 2001
Posts: 767
Ayudado: 7
| 12 de enero 2005 8:35 Re: Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| I "adivinar" eda4foru medios, algunos de circuito del interruptor de uso como
Flash A / D convertir switch uso preamplificador cirucit suelen utilizar
trayectoria de la señal diferencial ..
pero problema es mos usar un interruptor para, circuito charge_pump ..
1.5v bomba -> 5.5V de salida, y el uso de interruptor buen reducir volt_drop & RDS en .. |
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Konqueror
Antigüedad: 27 de noviembre 2004
Posts: 96
| 15 de enero 2005 10:37 ¿Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| | u puede utilizar un modificador de maniquí o un interruptor puerta de transmisión para reducir al mínimo la pérdida de la fuente y drain.also para el cambio requiere la U sobre la resistencia a ser muy baja, para optimizar el w / l para cambiar ratio.clock maniquí es algo retrasado WRT interruptor |
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dumbfrog
Antigüedad: 17 de julio 2004
Posts: 192
Ayudó a: 4
| 18 de enero 2005 2:41 Re: Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| | aumento de la L y optimizar la W |
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zhangjun_qh
Antigüedad: 20 de febrero 2003
Mensajes: 1
Ubicación: China
| 19 de enero 2005 7:19 ¿Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| | Para el diseño de circuitos analógicos, sólo tiene que seleccionar la topología de la derecha, a continuación, sobre la base de lo que la frecuencia de reloj y frecuencia de la señal es, elaborar un razonable tiempo de establecimiento, para decidir el interruptor de W y L, entonces utilizar un reloj interruptor de arranque para la crítica. Por favor, olvide cambiar ficticio, no es cierto en algún caso. |
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mitrobge
Antigüedad: 19 de febrero 2005
Mensajes: 49
Ayudado: 3
Lugar: Grecia
| 16 de marzo 2005 23:48 Re: Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| | puede dar alguna información sobre la eficiencia del reloj de arranque para (pass-gate) cambiar a granel y fuente polarizado polarización en 0.12u la tecnología? |
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vistapoint
Antigüedad: 20 de febrero 2005
Posts: 91
Ayudado: 2
| 17 de marzo 2005 3:07 Re: Cómo diseñar un alto rendimiento mos cambiar? | | |
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| | Leackage siempre está ahí. El problema es cuánto. |
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